后摩尔时代，洞见第三代功率半导体器件参数测试的趋势和未来！

2022年，全球半导体产业连续高增长，进入调整周期。与此形成对比，在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，第三代半导体产业保持高速发展，全球化供应链体系正在形成，竞争格局逐步确立，产业步入快速成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力不断增强，整体竞争实力日益提升。

影响第三代SiC功率器件阈值电压不稳定的因素有哪些？如何应对？

由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试条件。因此SiC MOSFET阈值电压的准确测试，对于指导用户应用，评价SiC MOSFET技术状态具有重要意义。

基于国产化源表的第三代功率半导体器件静态测试方案

不同材料、不同技术的功率器件的性能差异很大。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求。但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间，如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。

浅谈数字源表的发展史

数字源表的发展史

郝跃院士:化合物半导体电子器件的研究与进展。

截至目前，北京FAB3已实现量产并持续进行良率提升及产能爬坡，已与全球尤其是中国本土各领域多家MEMS设计厂商开展合作，产品已涉及通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域；当前北京FAB3正在进行二期扩产，但根据最新情况预计，在2024/2025年其3万片/月的总产能将达到满产状态。 基于对M