我国功率器件的领军人物陈星璧院士逝世，享年89岁。

　　2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院

山东大学济南宽带隙半导体产业研究院揭牌。

　　近日，山东大学济南宽禁带半导体产业研究院在济南揭牌成立。研究院将充分发挥山东大学科技人才高地优势,加快建设世界知名、国内一流的宽禁带半导体产业核心机构,把济南打造成中国北方宽禁带半导体产业聚集区。宽禁带半导体材料是世界各国竞相发展的战略性、先导性领域,在5G通讯、高端装备和新能源等方面具有不可

从半指数成本的发展看半导体产业的未来

　　费城半导体指数涵盖全球半导体设计、设备、制造、材料等方向，其走势可以当作衡量全球半导体产业景气程度的主要指标。同时其成份股市值的变化及更替也能反应出半导体产业的变化及趋势。 费城半导体指数推出时间于 1993 年 12 月 1 日，纳入指数的标准为：一、在 Nasdaq 市场、纽约证券交易所

各地碳化硅项目逐渐落地，第三代半导体商用序幕慢慢拉开。

　　据媒体报道，12月16日中德第三代半导体材料联合研究院项目签约落户西安。该项目技术可以以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶圆，未来发展方向为大尺寸SiC单晶制备批量生产成熟技术和前沿半导体技术。 第三代半导体材料项目渐次落地 就在不久前，浙江省首个第三代半导体材料项目落户宁波，华大

采访联合碳化硅公司首席执行官:看到未来10年的碳化硅

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺