半导体仪器走出国门：武汉普赛斯IGBT静态参数测试系统出口国际市场

IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确

普赛斯携集成电路产教融合解决方案亮相第七届集创赛颁奖典礼并作主旨演讲

第七届全国大学生集成电路创新创业大赛半导体测试分赛区信诺达杯七大赛区选拔赛于2023年7月22日落地武汉理工大学,武汉普赛斯仪表携S系列经典台式源表(300V/3A/1A/100pA)、CS系列插卡式源表(3插卡及10插卡，高至40通道)、P系列高精度脉冲源表(300V/10A/3A/10pA)，以及功率器件芯片测试用HCPL100系列高电流源(单机1000A可并联，边沿15μs)、E系列程控大电压源(3500V，可拓展至10kV)亮相。

讯石头|解密普赛斯国产仪表在光通信与半导体测试“双轮驱动”发展进程

普赛斯仪表将发挥在微弱电流(pA)信号处理、高压(3.5kV)功率放大、大电流脉冲输出系统、信号调理电路等方面的优势，基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案，依靠自主研发拓展产品线，持续研发筑牢护城河。也将联合更多行业客户，共同助力我国半导体功率器件高可靠性、高质量的发展。

武汉普赛斯携行业“利器”亮相首届中国光谷九峰山论坛并受邀作主旨演讲

本届论坛以“攀峰聚智、芯动未来”为主题，为期三天，通过开幕大会、5大主题平行论坛、超70+场次主题报告分享，邀请了500+企业代表，共同探讨化合物半导体产业发展的新趋势、产业新机遇、前沿新技术。

普赛斯仪表携半导体电性能测试设备出席CIOE 2022