为什么“姑苏实验室”不简单？

　　导读：投资200亿元，集聚1000多名科研、技术及管理人才，以材料科学领域中的国家重大战略需求、江苏经济发展重大需求以及未来科技革命的前沿技术为“三大重点”进行科研攻关……揭牌仪式 6月30日，材料科学姑苏实验室（以下简称“姑苏

「核心基础建设」-7: Gan/ZnO自发性&压电极化:我有多爱你，我就有多温柔。

钎锌矿结构是由两种具有负电性差的元素（如Ga, N）构成四面体，每个原子与周围四个原子成键，沿六方对称轴方向的键长要大于另外三个方向的键长，导致正负电荷中心不在同一点上，从而产生自发极化效应。如图1左所示，具有（0001）方向（In，Al，Ga）N，4个电负性N原子构成四面体的中心在对称轴（In，A

纯度是11个9！国产450毫米半导体级单晶硅棒研制成功。

　　近日，在Semicon China2020上，新美光(苏州)半导体科技有限公司发布了450mm(18寸)11个9纯度的半导体级单晶硅棒。 新美光CEO夏秋良介绍，450mm半导体单晶硅棒采用国际最先进MCZ技术，代表国际先进水平，改变国内无自主450mm半导体级单晶硅棒的局面。将在28nm以

对功率器件的需求急剧增加，SiC前景看好。

中国的EV动力系统（Powertrain）方面的先进企业--LEADRIVE与罗姆合作设立联合实验室，共同研发搭载SiC的车载转换器。期待SiC功率模组（Power Module）的研发获得迅速发展。（图片出自：日本财经新闻） 富士经济在2020年6月份公布了全球功率半导体市场规模，如下：2019年

三星发现新的半导体材料:内存和闪存迎来革命。

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。 近些年，三星SAIT围绕只有一层原