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09-15
半导体仪器走出国门：武汉普赛斯IGBT静态参数测试系统出口国际市场
07-26
普赛斯携集成电路产教融合解决方案亮相第七届集创赛颁奖典礼并作主旨演讲
05-26
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武汉普赛斯携行业“利器”亮相首届中国光谷九峰山论坛并受邀作主旨演讲
09-08
普赛斯仪表携半导体电性能测试设备出席CIOE 2022
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后摩尔时代，洞见第三代功率半导体器件参数测试的趋势和未来！
05-06
影响第三代SiC功率器件阈值电压不稳定的因素有哪些？如何应对？
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01-16
郝跃院士:化合物半导体电子器件的研究与进展。
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