近日，国内规模最大、技术最先进的集成电路代工企业SMIC与RRAM科技领军企业Crossbar共同宣布，双方就开发制造非挥发性RRAM达成战略合作协议。 作为双方合作的一部分，SMIC和Crossbar签署了一份OEM协议，提供基于SMIC 40纳米CMOS制造工艺的电阻式存储器组件。这将帮助客户将低延迟、高性能和低功耗的嵌入式RRAM存储器组件集成到MCU、SoC和其他设备中，以满足物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业和汽车电子市场的需求。 SMIC开发了130纳米到65纳米工艺的NOR闪存。2014年，38nm工艺的自主研发取得突破，随后转向更先进的NAND闪存，将使用40nm工艺制造RRAM阻变存储器芯片，这意味着SMIC已经进入下一代存储器产业。 RRAM元件可以集成到标准CMOS逻辑工艺中，位于标准CMOS晶片的两条金属线之间。这将导致实现高度集成的非易失性存储器解决方案，在单个芯片上集成片上非易失性存储器、处理器内核、模拟和RF。 高度集成的MCU和SoC设计人员需要非易失性存储器技术。Crossbar的RRAM CMOS兼容性和对更小工艺尺寸的可扩展性使得在MCU和SoC中集成非易失性存储器元件与更低的工艺节点成为可能。 SMIC可以帮助Crossbar摊薄芯片成本，缩短上市时间。 目前，中国的半导体政策主要集中在存储器行业。2015年以来也通过不断收购相关供应链加速增长，晶圆产能扩张活跃。中国的半导体政策继续给三星的内存部门带来一定的竞争压力，势必分散三星在代工行业的集中度。