普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法 灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
产品特点:
►高电压:支持高达3.5KV高电压测试(最大扩展至10kV);
►大电流:支持高达4KA大电流测试(多模块并联);
►高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
►丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
►配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
►数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
►模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
►可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
►可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
►高偏压下C-V测试;
►夹具带互锁
系统参数
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | 最大电压 | 3500V |
最大电流 | 4000A | |
精度 | 0.1% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试范围 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | 最大电压 | 300V |
最大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.1% | |
最小电压分辨率 | 30uA | |
最小电流分辨率 | 10pA |
功率器件静态测试系统主要由多台源表、电桥、矩阵开关、PC、上位机控制软件、夹具盒等组成。针对不同的测试需求,用户可以选择不同源表、夹具等。
PMST系统配置 | 关键参数 | 备注 |
P系列 | PW高达30V/10A、300V/1A | 栅极特性测试 |
CW高达300V/0.1A、30V/1A | ||
最小脉冲宽度200uS | ||
HCP系列 | PW高达30V/100A | IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
CW高达10V/30A | ||
最小分辨率30uV/10pA | ||
最小脉冲宽度80uS | ||
HCPL系列 | 单台PW高达12V/1000A,可多台并联 | |
最小脉冲宽度50uS | ||
E系列 | CW高达3500V/100mA | IGBT击穿电压测试 |
最小分辨率10mV/100pA | ||
测量精度 0.1% | ||
电桥 | 频率范围:20Hz~1MHz | IGBT各级间电容测试 |
HVP系列提供0~400V直流偏置电压 S系列提供0~30V直流偏置电压 | ||
预置偏置电阻100kΩ | ||
矩阵开关 | / | 电路切换及源表切换 |
主机 | / | |
测试夹具 | 根据器件封装形式定制 |
系统具体配置由用户自行选择,以车规IGBT为例,一般配置如下:
设备名称 | 数量 | 功能 |
P300脉冲源表 | 1台 | 测试栅极(基极)特性; |
E100高电压源测单元 | 1台 | 测试集电极发射极(漏极源极)耐压及漏电流; |
HCPL100高电流脉冲电源 | 1台 | 测试功率管导通电阻及续流二极管前向压降; |
电桥 | 1台 | 客户指定或我司推荐,测试各极间电容; |
PC机 | 1台 | 运行我司上位机软件程序; |
矩阵开关 | 1台 | 按照国际要求进行电路切换及源表切换; |
夹具 | 至少1个 | 针对不同的封装形状需要使用不同的测试夹具; |
功率器件:
♦二极管
♦三极管
♦MOS管
♦IGBT
♦SIC
♦GaN