周四，Micron宣布了业界首个232层3D NAND存储解决方案，并计划将其用于包括固态硬盘(SSD)驱动器在内的各种产品线。在阵列下CMOS架构(简称CuA)的支持下，Micron能够将两个3D NAND阵列堆叠在一起。如果一切顺利，该公司有望在2022年下半年增加232层3D TLC NAND闪存芯片的产量。结合CuA设计+232层NAND方案，有助于大幅缩小美光1Tb 3D TLC闪存芯片的尺寸，同时降低生产成本或提高利润率。美光尚未透露232L 3D TLC NAND的IC面积和I/O速率，但暗示新的闪存将比现有的3D NAND设备具有更高的性能，并推测可用于配备PCIe 5.0接口的下一代SSD。光电产品执行副总裁斯科特·德博尔(Scott DeBoer)指出，该公司的相关闪存设备将配备自主开发和第三方的母版，他们将与其他开发商保持密切合作，为新的闪存提供适当的支持。

该公司围绕数据中心/客户端SSD产品所需的行业领先的托管NAND存储和技术进行了优化研发，内部和外部控制器的组合一直是其垂直产品集成的重要组成部分。

这么做不仅可以确保为 NAND / 控制器技术实施恰当的优化，还能够满足其保持业内领先的相关要求。

该公司称，与上一代工艺节点相比，新一代 232 层 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光长期专注于移动应用，并与下游设备制造商保持着良好的合作伙伴关系。

最后，鉴于美光计划在 2022 下半年开启 232 层 3D TLC NAND 的生产，预计各类终端产品（比如 SSD）也会在 2023 年陆续上市。