根据美光在 Computex 大会上的演讲，三家设在台中的工厂之一将在今年晚些时候升级 EUV 光刻技术，从而为 DRAM 升级到 1-gamma 工艺节点做准备。1-gamma 在上线初期只是研发节点，以帮助该公司为更广泛地推广 EUV 技术做准备。

美光的长期路线图还包括1-delta节点，这本来是它的第一个EUV产品，但现在似乎已经提前到了1-gamma节点。美光很可能会在适当的时候将其其他工厂转移到EUV，但到目前为止，与大多数其他类型的集成电路相比，DRAM还没有从节点收缩中受益，所以 EUV 可能带来的收益让我们拭目以待。

目前美光的 DRAM 主要是基于 1-alpha 节点，而公司希望明年在中国台湾的工厂将 1-beta 节点转为批量生产。美光目前的 1-alpha 节点是基于 DUV 技术的，并在去年推出，该公司声称其内存密度比之前的 1Z 节点提高了 40%。

美光公司不再提及其常用的纳米测量法的芯片尺寸，但据说其 1Z 节点约为11至13纳米，因此，如果其 1-alpha 节点尚未低于 10 纳米，那么 1-beta 节点最终很可能会低于 10 纳米。