热门关键词:
服务热线:
18140663476
首页 > 新闻资讯 > 文章详情
台积电核心技术
作者:小虎 阅读:14

6月17日早间消息,台积电在今日举办的2022技术论坛上,首度推出下一代先进制程N2,也就是2nm。技术指标方面,台积电披露,N2相较于N3,在相同功耗下,速度块10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,开启高效能新纪元。

就纵向对比来看,2nm之于3nm的提升,似乎不如3nm之于5nm,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

在微观结构上,N2采用纳米片电晶体(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为,纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管)。

台积电还表示,N2不仅有面向移动处理器的标准工艺,还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案。

时间节奏方面,N2将于2025年量产。

另外,根据台积电最新技术路线图,第一代3nm(N3)定于下半年量产,3nm也会比较长寿,后续还有N3E、N3P和N3X。

免责声明:本文转载于网络,不代表普赛斯观点,如有侵权,请联系站长删除!如有特殊表明来源“普赛斯”,版权均为普赛斯所有。
扫一扫
添加公司微信
HOTUNE
服务热线
18140663476
座机:18140663476
服务邮箱:taof@whprecise.com
公司地址:武汉东湖开发区光谷动力10栋
产品搜索
Copyright © 2017 武汉普赛斯仪表有限公司. All Rights Reserved. 鄂ICP备19030539号-1