由中科院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领团队经过多年的科研探索，在碳基半导体制备材料的研究领域取得了突破性进展。该科研成果近日发表在国际权威学术期刊《科学》上。 彭练矛和张志勇教授带领科研团队，通过多次提纯和维度限制自组装方法，在四英寸基底上制备出密度高达120根/微米、半导体纯度超过99.9999%的碳纳米管平行阵列，并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS的晶体管和电路，成功突破了长期以来阻碍碳纳米管电子学发展的瓶颈，为推动碳基集成电路的实用化和工业化奠定了基础。 相比传统硅基技术，碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，因此也被视作是性能更好的半导体材料。随着我国碳基半导体制备材料技术的突破，未来，我国在半导体材料、芯片、集成电路领域有望具有更强的国际竞争力。