根据这一市场统计和分析，12纳米制程技术将在mainland China手机市场大放异彩。我们知道，在中高端领域，市场上主流的工艺节点有22nm、16/14nm、10nm、7nm，以及未来的5nm、3nm，称为主节点。而28纳米、20纳米、12纳米、8纳米等等。被称为半节点。这些节点具有很强的过渡性，因此它们的市场份额低于主节点。而28nm和12nm是比较特殊的，28nm因为性价比优秀，所以应用比较广泛，也比较成熟。12nm是典型的中端芯片工艺，市场上很多知名的处理器厂商都选择了这种工艺用于中端产品，尤其是手机处理器。

中国大陆手机市场巨大，中端、中端、低端占据了出货量的大头，这给了中端手机处理器芯片绝佳的发展机会，相应的12nm制程工艺的市场份额也水涨船高。

从目前的代工市场来看，具备12nm制程技术能力的厂商很少，主要是TSMC、辛格(原GF)、三星电子和UMC。2018年，UMC宣布停止12纳米及更先进工艺的研发。所以，目前在全球代工市场上，12nm的主要玩家是TSMC、辛格和三星，这从近两年市场上推出的各种芯片就可以看出来。

12纳米工艺芯片

2018年5月，联发科推出了Helio P22，这是一款中端芯片，采用TSMC 12nm fin fet工艺制造。CPU为8核A53，最高频率为2.0GHz，采用GPU PowerVR GE8320，频率为650MHz，最大屏幕分辨率为1600x720 (20: 9)。

2018年6月，联发科推出的中端芯片Helio P60表现不俗，吸引了OPPO、vivo等国内一线手机厂商的订单。OPPO R15、vivo X21i等机型都搭载了Helio P60处理器。这款芯片也定位于中端，基于12nm制程工艺，加入了人工智能技术。

2018年7月，联发科再次推出Helio A系列产品，称其将高端产品的功能下放到拥有庞大用户群的大众市场。该系列的首款产品是Helio A22，同样采用12nm制程工艺，CorePilot技术，内置4核Cortex-A53主频2.0 GHz，PowerVR GE图形处理器。

在中国大陆，紫光展锐近年来在中低端市场发力，市场份额逐步扩大。在即将到来的5G市场，该公司推出了春腾510，采用了TSMC的12nm工艺技术，支持SA(独立组网)和NSA(非独立组网)方式。

可见联发科是12nm工艺中端手机芯片的主力。DIGITIMES Research的统计和分析显示，高通受到中美贸易的影响。预计今年第三和第四季度的出货量将分别比上一季度下降3.8%和2.7%。高通加强自有架构芯片，第四季度占高通整体出货量的比例有望提升至64.6%。从目前的情况来看，华为很有可能将中端AP转移给联发科，OPPO、vivo等新品也使用联发科的AP，预计将带动后者今年第三季度AP出货量较上季度增长5.8%。其中，Cortex-A57以上平台的出货量占比有望在今年第四季度提升至39.2%。

除了手机处理器，2018年底，AMD的显卡RX 590采用12nm工艺代工生产，该产品的代工厂为辛格和三星。由于AMD和辛格的深厚关系，它的许多芯片都是由辛格制造的。然而，随着辛格宣布退出10nm和更先进工艺的研发和投资，AMD不得不将先进产品分给三星和TSMC，从而分散了辛格的订单。

与此同时，另一家显卡制造商NVIDIA选择了TSMC的12纳米工艺。

三国杀

与前几代相比，12nm具有更低的泄漏特性和成本优势。与16nm相比，12nm工艺不仅晶体管密度更高，而且在性能和功耗方面也得到了进一步优化，升级幅度更大。对于TSMC来说，引入12nm工艺不仅可以缓解10nm工艺带来的订单紧张问题，还可以在营销上反制三星、辛格、SMIC等对手的14nm工艺，避免订单流失。

2018年，Ge宣布退出10nm及更先进工艺的研发，这样公司最先进的工艺就是12nm。公司分为两条腿，分别是FinFET和FD-SOI，这在12nm工艺上得到了充分的体现。在FinFET方面，公司有12LP技术，在FD-SOI方面，有12FDX。12LP主要针对人工智能，虚拟现实，智能手机，网络基础设施和其他应用，并利用辛格在纽约州萨拉托加县Fab 8的专业知识。自2016年初以来，该工厂一直在量产辛格的14nm FinFET产品。

由于许多连接的设备既需要高集成度，又需要更灵活的性能和功耗，而FinFET很难实现这一点，12FDX提供了一种替代路径，可以实现比FinFET产品更低的功耗、更低的成本和更好的RF集成度。

资料显示，栅核12FDX工艺可以提供与10nm FinFET相当的性能，而功耗和成本比16nm FinFET工艺更低，并且支持全节点缩放，使性能比FinFET工艺提高15%，功耗降低50%。与10nm FinFET相比，掩模成本降低了40%。在成本和功耗方面，Grid的12FDX工艺优于TSMC的主要16纳米工艺。TSMC已推出第四代16nm工艺，即12nm工艺，进一步加剧了双方的竞争。但是，Grid的12FDX工艺的量产时间要晚于TSMC的12nm工艺，这对12FDX在后续的市场竞争中是一个很大的考验。

目前，辛格正在大力推进其12nm工艺。上周，该公司宣布开发了一种基于Arm的3D高密度测试芯片。这款芯片采用GF的12nm FinFET工艺制造，采用3D Arm mesh互连技术，让数据更直接的去其他核，将延迟降到最低。

Ge表示，他们的方法可以实现每平方毫米多达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望延长12纳米工艺的寿命。目前相比7nm，12nm工艺更加成熟稳定。所以目前在3D空室开发芯片比较容易，不用担心7nm工艺可能带来的问题。

对于三星来说，其代工路线图中没有12nm工艺，只有11nm LPP。不过三星的11 LPP和辛格的12nm LP其实是“同一个老师”，都是三星14nm改进的产物。晶体管密度变化不大，但效率提高。所以辛格的12nm LP和三星的12nm工艺有很多共同点，这可能是AMD找三星代工12nm产品的原因之一。

如前所述，AMD去年推出了RX 590，这是该公司首款12nm GPU。三星加入了这款产品的代工行列，其12nm工艺是为AMD定制的，是对原有14nm工艺进行版本优化的结果。此外，AMD的第二代锐龙处理器也采用12纳米工艺制造。结论

12nm工艺本来不是一个竞争激烈的领域，但随着辛格对它的重视程度的提高和TSMC的强势进入，以及市场需求的上升，特别是中国大陆对中端手机处理器的需求，这个板块在未来两三年内都是值得一看的。

此外，不要忘记，SMIC不仅为其14nm FinFET工艺进入了客户风险量产阶段，而且在2019年第一季度为其12nm工艺技术开发进入了客户导入阶段。第二代FinFET N+1的RD取得突破，进度超出预期。同时，上海SMIC南方FinFET工厂成功建成，进入产能部署阶段。这意味着用不了多久，一个新的12nm工艺玩家将进入战团，新的竞争态势和变数值得期待。