下面对村田的陶瓷基体、半导体基体、各种ESD（静电放电·浪涌）保护装置·对策元件的构造和原理进行说明。

陶瓷基体

村田提供的陶瓷基体ESD保护装置使用被称为「电极间放电方式」的机理。这个产品的内部电极是反向构造，通常是绝缘状态，施加高电压时，内部电极间产生放电，电流流入地下。产品的特性受内部电极间的距离和材料等控制。与电压可变阻抗方式的抑制型相比，端子间静电容量小，具有优良的循环耐性，主要用于智能手机的天线和高速数据通信线。

导体基体

半导体基体的ESD保护装置使用被称为齐纳二极管方式的机理。二极管是P型半导体（电子不足的状态）和N型半导体（电子有余量的状态）的结合物。

二极管在P型半导体侧连接正极（正向偏压），电子受正极吸引，通孔受负极吸引，因此电流流入。另一方面，在N型半导体侧连接正极（反向偏压），电子受正极吸引，通孔受负极吸引，P型半导体和N型半导体之间产生空隙层，电流无法流入。

但是，施加更高的反向偏压时，在空隙层共同结合的电子被切断，与其他电子的冲突不断循环，电流突然流入。将这个突然流入的电流产生的电压称为击穿电压。

硅材料的ESD保护装置利用了这个二极管的技术，施加大于击穿电压的过电压（ESD），电流流入地下。与陶瓷基体的产品相比，端子间的容量变大，具有更好地ESD保护性能。