日前，在第二届IC全球企业家峰会氮化镓产业论坛上，Qorvo应用市场总监黄靖作了题为《5G关键技术-氮化镓》的演讲。

Qorvo应用市场总监黄靖

黄靖表示，复合化合物半导体在在未来几年5G的快速爬坡中将出现爆发性增长，尤其是在基站PA应用中，氮化镓将取代传统的LDMOS。就国内基站市场而言，Qorvo预估明年将有60万个宏基站部署。

谈到基站与组网，黄靖说道毫米波频段不会像Sub-6GHz那么容易部署和组网，因此大部分都会在前传网络节点中出现，而今后主要的5G组网方式仍将是以Sub-6GHz为主。

黄靖说道，作为基站来说，天线数量相对过去要增加，同时基站总功率也需要增加，高效率的需求是LDMOS必然被氮化镓所取代的最主要原因。“运营商基站建设的投资要考虑Capex和Opex，如何帮助客户实现更高的效率节约更多的成本，就需要高可靠的氮化镓材料，支持更低功耗，更高带宽和更高的频率。”

黄靖表示，目前Qorvo基站用氮化镓的主流工艺为0.25μm，相比市场上0.4μm工艺，可在更高频率实现高性能。

此外，除了氮化镓之外，Qorvo在发射端也有砷化镓产品，而接收端则包括了砷化镓和SOI及BAW的特色工艺技术。

黄靖总结道，目前Qorvo提供了集成封装的组合方案，同时也针对更高性能的微波应用需求推出单片产品。

谈及氮化镓的衬底市场是硅基还是碳化硅基时，黄靖认为目前硅基产品的低成本还没有体现出来，尤其是从衬底开始的整套配合，并不像碳化硅产业链一样完整。且目前碳化硅制程已经从4英寸即将扩展到6英寸，而硅基产品目前还没有规模量产到8英寸，因此想与碳化硅竞争尚需时日。但未来产业链成熟之后，低成本的硅基还是会有充足的发挥空间。