10月8日，工信部在官网发布《关于全国政协十三届二次会议第2282号提案(公交邮256号)的答复函》，称下一步将持续推进国内工业半导体材料、芯片、器件和IGBT模块产业发展。IGBT产业链包括IDM、设计、制造、模组等。本文主要介绍国内主要的IGBT产业链企业。

IGBT，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件。它具有高频、高压、大电流、易开关等优良性能。，适用于DC电压600V及以上的变换器系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

根据百科全书，IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备。

中国作为全球最大的IGBT需求市场，主要市场份额被欧美日企业占据。然而，随着集成电路成为国家战略性新兴产业，国内一些企业经过多年努力，已经建立了完整的IGBT产业链。国际电子商务资讯边肖整理了国内IGBT产业链的主要企业，如表所示:

IDM

ID代表国际集成元件制造商，是集成器件制造的缩写。

以前国际IDM厂商的产品几乎都是自己排的，也正是因为每个产品都要沾一点边，但是每个产品不一定能做到数量多，占据最大的市场份额。近年来，在国家政策和重大项目的推动下，国内IGBT产业发展迅速。

比亚迪微电子

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2003年，比亚迪成立了深圳比亚迪微电子有限公司(其“第六事业部”)，致力于集成电路和功率器件的研发，为产品应用提供整套解决方案。比亚迪微电子主要负责RD及其IGBT的制造。2005年，比亚迪正式组建了IGBT RD团队，2007年建立了IGBT模块生产线，完成了第一辆电动车IGBT模块样车的组装。

目前，比亚迪已先后掌握IGBT芯片设计制造、模组设计制造、大功率器件测试及应用平台、电源及电控，拥有完整的IGBT产业链。

斯兰威

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杭州石兰微电子有限公司成立于1997年。从IC芯片设计业务开始，逐步构建了具有特色技术的芯片制造平台，并将技术和制造平台延伸到功率器件、功率模块和MEMS传感器的封装领域，建立了较为完整的IDM业务模式。

目前，士兰威的5英寸和6英寸芯片生产线已经稳定运行，8英寸芯片生产线顺利投产。高压BCD、超薄沟槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺研发相继完成。

华微电子

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吉林华微电子有限公司成立于1999年，集功率半导体器件的设计开发、芯片加工、封装测试和产品营销于一体。官网信息显示，拥有4英寸、5英寸、6英寸分立功率半导体器件和IC芯片生产线，芯片加工能力400万片/年，封装资源24亿片/年，模组360万片/年。

今年4月，中国微电子拟投资8英寸生产线项目，600V-1700V各种电压电流等级的IGBT芯片是该项目的重点之一。

华润微

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华润微电子前身为AVIC(重庆)微电子有限公司，集半导体设计、RD、制造和服务于一体，以功率半导体器件和功率/模拟集成电路为产业基础，面向工业电子、消费电子、汽车电子和5G通信市场。拥有功率器件、氮化镓、微机电系统传感器等技术开发和制造平台。

华润微拥有国内首条8英寸专用功率器件晶圆生产线，月产能5.1万片，工艺能力0.18微米，8英寸特种工艺生产线。目前，公司已启动12英寸晶圆生产线及相关封装测试线建设计划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。

杨洁科技

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扬州杨洁电子科技有限公司成立于2006年8月。它致力于功率半导体芯片和器件制造、集成电路封装和测试等产业发展。其主要产品有各种电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS和碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

据了解，在IGBT方面，杨洁科技于2018年3月在宜兴举行了6英寸晶圆生产线。目前生产线已量产IGBT芯片，主要用于电磁炉等小家电。杨洁科技在互动平台上表示，2018年，该公司实际生产了近6000枚IGBT芯片。

台湾股票

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湖北太极半导体股份有限公司成立于2004年，是中国大功率半导体器件领域为数不多的掌握了前(扩散)技术、中(芯片制作)技术和后(封装测试)技术的企业，掌握了大功率半导体器件设计制造的核心技术并形成规模化生产。

台电股份的主要产品是功率半导体器件，如功率晶闸管、整流器、IGBT模块、功率半导体模块等。它在5年前就开始了IGBT模块的研发，现在已经基本具备了IGBT设计、封装和测试的能力。近日，台资股份加大了对“新型大功率半导体器件产业升级项目”的投资，该项目包括月产4万条IGBT模组封装测试线。

CRRC时报电气公司

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株洲CRRC时代电气有限公司是中国CRRC旗下的股份制企业。其前身和母公司CRRC株机电力机车研究所有限公司始建于1959年，现已形成集IGBT产品设计、芯片制造等成套技术研发和集成为一体的大功率IGBT产业化基地。

2008年，CRRC时代电气(当时名为“南车时代电气”)收购了全球IBGT制造商Dennis。2009年，建成了中国第一条高压IGBT组件封装线。自2010年起，它开始在中国建设第一条以IGBT芯片为主的先进生产线。

柯达半导体公司

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科达半导体有限公司成立于2007年，是由科达集团投资的高新技术企业，主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件(电力电子器件)的设计、生产和销售，销售中心位于深、浙、鲁。

模块

IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装后的IGBT模块可直接应用于逆变器、UPS等设备。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前，这些模块化产品大多在市场上销售。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越常见。

银茂微电子

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南京银茂微电子制造有限公司成立于2007年11月。是江苏银茂(控股)集团有限公司的控股公司官网称，公司一期项目主要从事具有自主知识产权的新型电力电子模块、全密闭和半密闭高可靠性混合电路电子器件、大型变流技术核心部件的研发、制造和销售，年产65万台通用功率模块及高压。

产能超过10万模块，是目前国内最大的电力电子功率模块生产基地之一。

芯能半导体

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深圳市新能半导体科技有限公司成立于2013年，由深圳郑玄科技、深圳市国资委、深圳市人才创新基金、陈达创投、方广资本、厦华猎鹰等知名机构投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片、大功率智能功率模块的研发、应用和销售。

目前，芯能专注于600V和1200V中小功率IGBT产品，在IGBT单管、IPM、IGBT模块、HVIC四个领域有完善的产品序列，产品性能国内领先。

嘉兴斯达

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嘉兴斯达半导体有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体器件，尤其是IGBT模块的RD、生产和销售服务的国家高新技术企业。其主要产品是功率半导体元件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等。，并成功开发了近600种IGBT模块产品，电压等级从100 V到3300V，电流等级从10 A到3,600 A

在技术方面，嘉兴斯达开发了全系列平面栅NPT 1200V IGBT芯片和全系列沟槽栅场截止650V、750V、1200V、1700V IGBT芯片，解决了包括8英寸晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火激活技术、沟槽栅开槽成型技术等关键工艺技术。

宏观和微观技术

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微技术有限公司成立于2006年8月，立足于电力电子元件行业。其业务范围包括新型功率半导体芯片、分立器件和模块的设计、研发、生产和销售，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块和CSPM，并提供高效节能电力电子器件的模块化设计、制造和系统解决方案。

2018年，宏伟科技与北汽新能源成立宏伟-北汽新能源IGBT联合实验室，计划共同打造从芯片设计到模块设计封装再到电机控制器设计生产的电机控制器产业链。微科技年报显示，2018年，其电动车用IGBT模块在SVG行业的应用逐渐增多，同时客户定制产品开始批量销售。

威海新佳

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威海信佳电子有限公司成立于2004年，注册资本2000万元。是专业从事新型电力电子器件及其应用的设计、研发、生产和销售的国家高新技术企业。

威海新佳是IGBT国家标准和交流固态继电器行业标准的起草单位之一。建设了“国家高技术产业化示范工程”IGBT生产线和山东省电力电子器件工程技术研究中心，先后承担了国家发改委新型电力电子器件产业化项目、工信部电子发展基金项目等多项国家级、省部级项目。

设计

紫罗兰微电子

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无锡紫光微电子有限公司(原无锡同方微电子有限公司)成立于2006年，是由同心微电子微电子有限公司投资的高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试和产品销售的集成电路设计企业。

紫光微电子研发生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、半桥栅极驱动器等相关电源管理集成电路等半导体功率器件，广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。IGBT方面，基于IGBT的实际应用，采用NPT(非穿通型)和trench FS(场端接型)IGBT技术，为大功率应用客户提供优质可靠的系统解决方案。

无锡新杰能

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无锡信捷能有限公司成立于2013年。其主要业务是RD，设计和销售MOSFET，IGBT和其他半导体功率器件。其主要产品根据是否封装可分为芯片和封装产品。广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子和新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

目前无锡信捷能的主要产品有12V~200V沟槽功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超级结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止IGBT。相关核心技术获得多项专利，四大系列产品被认定为江苏省高新技术产品。

核心技术

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派信电子科技有限公司成立于2008年。是集RD、生产、销售为一体的高科技企业。其产品包括低压到高压MOSFET、IGBT、二极管、桥式电抗器和电源管理IC。芯电子总部位于安，并拥有省级重点实验室——Xi安半导体功率器件测试与应用中心。

据了解，2016年以来，新派科技研发了1200V/900V/650V的IGBT功率器件，产品性能指标达到国外同类产品的技术性能。

中科君信

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江苏中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高新技术企业。其前身是中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国物联网研究发展中心和成都电子科技大学，最早起步于20世纪80年代。

目前，中科俊芯已形成具有市场竞争力的产品，包括650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，拥有222项专利，其中PCT专利12项。在IGBT技术方面，中科君芯开发了Trench -FS电压650V-6500V、单片电流8A-400A的全系列IGBT芯片，成功解决了沟槽栅沟槽形成技术、载流子增强技术、晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火技术等关键技术。

大新半导体

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宁波大信半导体有限公司成立于2013年，是一家主要由海归博士创办的中外合资高科技公司，主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片和器件的设计、制造和销售。拥有IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，拥有IGBT产品测试、应用和可靠性实验室，拥有测试和制造手段齐全的IGBT模块研发生产线。

制造业

华虹李鸿

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华虹李鸿半导体制造有限公司由原上海华虹NEC电子有限公司和上海李鸿半导体制造有限公司合并而成，是全球首家提供场切绝缘栅双极晶体管(FS IGBT)量产技术的8英寸集成电路芯片制造商

华宏力已成功量产1200v NPT)IGBT；2011年至今；2013年，600V-1200V FS IGBT量产，随后与多家合作单位陆续引入600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，包括晶圆翘曲和背面工艺能力。目前有消息称，华虹李鸿是国内唯一拥有全套IGBT背加工技术的代工企业，正在加快6500V超高压IGBT技术的研发。

高级半导体

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上海先进半导体制造有限公司前身为上海飞利浦半导体公司，成立于1988年的中荷合资企业，拥有5英寸、6英寸和8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路和功率器件的制造。自2004年以来，它为IGBT提供国内外OEM服务。

上海先进于2008年在中国建立了IGBT背面工艺线，拥有完整的IGBT正面、背面和测试能力。IGBT/FRD的电压范围涵盖650V、1200V、1700V、3300V、4500V和6500V，技术能力包括PT、NPT、场停止、平面和沟槽IGBT等。其6英寸工厂专注于平面IGBT和FRD工艺平台，电压覆盖1200 ~ 6500V，而其8英寸工厂专注于沟槽场停止IGBT工艺平台，电压覆盖450V~1700V

SMIC

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SMIC国际集成电路制造有限公司是中国技术最全、设施最全、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业，为0.35微米至28纳米的8英寸和12英寸芯片提供OEM和技术服务。

SMIC IGBT平台自2015年成立，专注于最新一代场切IGBT结构，采用业界最先进、最主流的背面加工技术，包括Taiko背面减薄技术、湿法刻蚀技术、离子注入、背面激光退火和背面金属沉积技术等。完成了一整套深沟槽+晶圆+场截止技术的自主研发，相应引进了600V~1200V器件技术，技术参数达到行业领先水平。

方正微电子

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深圳市方正微电子有限公司由方正集团和其他投资者于2003年创立，专注于为客户提供功率分立器件(如DMOS、IGBT、SBD和FRD)和功率集成电路(如BiCMOS、BCD和HV CMOS)领域的晶圆制造技术。

方正微电子拥有两条6英寸晶圆生产线，月产能6万片，居国内6英寸线第一。0.5微米/6英寸工艺的批量产能居国内同行业第二，未来计划月产能将达到8万片。目前，IGBT支持430V、600V沟槽式PT IGBT和1200V、1700V平面式NPT IGBT。

华润尚华

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无锡华润尚华科技有限公司隶属于华润微电子有限公司，华润集团旗下主管半导体业务。华润为客户提供广泛的晶圆制造技术，包括BCD、混合信号、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar和一系列定制工艺平台。

华润拥有国内最大的6英寸代工线和8英寸代工线，6英寸月产量超过11万件。8寸生产线目前月产能达到35000片，未来整体月产能规划为60000片。工艺技术将升级到0.11微米。在IGBT方面，华润尚华于2012年宣布开发了600V和1700V平面NPT IGBT和600V Trench PT IGBT工艺平台。