报道称，李在镕昨天参观了位于京畿道华城的三星电子半导体RD中心。这也是李在镕2020年的首次正式出访，期间听取了三星电子的3nm制程技术报告，并与半导体部门负责人讨论了新一代半导体战略。据三星电子称，李在镕讨论了三星使用正在开发的最新3纳米GAA工艺技术制造尖端芯片的计划。GAA被认为是目前FinFET技术的升级版，可以保证芯片厂商进一步缩小体积。去年4月，三星电子利用EUV完成了5nm FinFET工艺技术的研发。现在公司正在研究下一代工艺技术(即3nm GAA)。三星电子表示，与5nm工艺相比，3nm GAA工艺的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提升了30%左右。此举也呼应了三星此前的表态，将全力进攻非DRAM和NAND闪存芯片的半导体市场。去年，三星宣布了一项相当于1118.5亿美元的投资计划，目标是将三星打造成全球最大的半导体芯片制造商。