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后摩尔时代，洞见第三代功率半导体器件参数测试的趋势和未来！？

2022年，全球半导体产业连续高增长，进入调整周期。与此形成对比，在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，第三代半导体产业保持高速发展，全球化供应链体系正在形成，竞争格局逐步确立，产业步入快速成长期。而国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设，国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证，技术稳步提升，产能不断释放，国产碳化硅(SiC）器件及模块开始“上机”，生态体系逐渐完善，自主可控能力不断增强，整体竞争实力日益提升。

影响第三代SiC功率器件阈值电压不稳定的因素有哪些？如何应对？？

由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试条件。因此SiC MOSFET阈值电压的准确测试，对于指导用户应用，评价SiC MOSFET技术状态具有重要意义。

基于国产化源表的第三代功率半导体器件静态测试方案？

不同材料、不同技术的功率器件的性能差异很大。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求。但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间，如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。

浅谈数字源表的发展史？

数字源表的发展史

郝跃院士:化合物半导体电子器件的研究与进展。？

截至目前，北京FAB3已实现量产并持续进行良率提升及产能爬坡，已与全球尤其是中国本土各领域多家MEMS设计厂商开展合作，产品已涉及通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等领域；当前北京FAB3正在进行二期扩产，但根据最新情况预计，在2024/2025年其3万片/月的总产能将达到满产状态。 基于对M

什么是第三代半导体材料？？

什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、半导体材料的划代 半导体材料的划代主要按照推出时间早晚划分，半导体材料目前已经划分到了第三代。第一代是从集成电路

郝跃院士:宽带隙和超宽带隙半导体器件的新进展。？

　　微电子技术显着推动了信息化社会的发展，以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体与氧化镓和金刚石为代表的超宽禁带半导体是继硅和砷化镓之后的第三代半导体材料。这个报告主要介绍第三代半导体材料的新进展，对微电子产业或者集成电路产业有所帮助。 摩尔定律：过去50 年半导体产业唯一主题 在过去的50 年

南昌大学教授江风益当选为中国科学院院士。？

　　11月22日，中国科学院通过官网公布了2019年中国科学院院士增选当选院士详细名单，2019年共产生中国科学院院士64名。其中，数学物理学部11人，化学部10人，生命科学和医学学部10人，地学部11人，信息技术科学部7人，技术科学部15人。名单显示，南昌大学江风益教授当选中国科学院信息技术科学部

2019年中国科学院当选院士名单？

据中国科学院官方消息：11月22日，中国科学院官方正式公布《2019年中国科学院院士增选当选院士名单》，根据《中国科学院院士章程》和《中国科学院院士增选工作实施细则》的规定，2019年中国科学院选举产生了64名中国科学院院士和20名中国科学院外籍院士。标签：2019年 中国科学院 院士

江风益:高效黄色LED为半导体照明带来新生命。？

　　今年5月，记者在南昌参观了江风益教授领衔的国家硅基LED工程技术研究中心。当江教授带着我们走到习近平总书记亲自为他颁奖的照片前时，显得非常激动。2016年1月8日，他牵头完成的硅基氮化镓蓝光LED项目获得2015年度国家技术发明一等奖，习总书记在人民大会堂为他颁奖;不到1个月之后的2月3日，习总

我国功率器件的领军人物陈星璧院士逝世，享年89岁。？

　　2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院

山东大学济南宽带隙半导体产业研究院揭牌。？

　　近日，山东大学济南宽禁带半导体产业研究院在济南揭牌成立。研究院将充分发挥山东大学科技人才高地优势,加快建设世界知名、国内一流的宽禁带半导体产业核心机构,把济南打造成中国北方宽禁带半导体产业聚集区。宽禁带半导体材料是世界各国竞相发展的战略性、先导性领域,在5G通讯、高端装备和新能源等方面具有不可

从半指数成本的发展看半导体产业的未来？

　　费城半导体指数涵盖全球半导体设计、设备、制造、材料等方向，其走势可以当作衡量全球半导体产业景气程度的主要指标。同时其成份股市值的变化及更替也能反应出半导体产业的变化及趋势。 费城半导体指数推出时间于 1993 年 12 月 1 日，纳入指数的标准为：一、在 Nasdaq 市场、纽约证券交易所

各地碳化硅项目逐渐落地，第三代半导体商用序幕慢慢拉开。？

　　据媒体报道，12月16日中德第三代半导体材料联合研究院项目签约落户西安。该项目技术可以以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶圆，未来发展方向为大尺寸SiC单晶制备批量生产成熟技术和前沿半导体技术。 第三代半导体材料项目渐次落地 就在不久前，浙江省首个第三代半导体材料项目落户宁波，华大

采访联合碳化硅公司首席执行官:看到未来10年的碳化硅？

半导体材料目前经历了三个发展阶段，第一代的硅（Si）、锗（Ge）；第二代开始由2种以上元素组成化合物半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟 (InP)；以及第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料。由于宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻以及更小的器件物理尺

2019年中国氮化镓(GaN)、电子功率器件及GaN其他应用的供需情况[图]？

GaN 属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于 Si 和 GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以 SiC 和 GaN 为主。相较于 SiC，GaN 材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。

碳化硅器件在电动汽车领域的应用前景分析？

工业的蓬勃发展，全球能源消耗逐年增加。在我国，机动车污染已成为空气污染的重要来源，是造成灰霾、光化学烟雾污染的重要原因，机动车污染防治的紧迫性日益凸显。节能减排已成为汽车业发展的重大课题。因此，大力发展新能源汽车是实现节能减排，促进我国汽车产业可持续发展的战略性措施。 目前，EV(纯电动汽车)和

国泰君安-半导体设备行业更新报告？

研究报告内容摘要： 结论：大基金二期已于10月注册成立，资本金2041亿，有望撬动万亿资金流入。预计年底开始二期将进入密集投资期，通过分析一期投资方向，我们认为设备类投资占比将提升，已投入的龙头将持续获得重点支持，一期未重点投入但潜力较大的领域(如检测设备)也将获得重点支持。重点推荐：北方华创（

国内最大的功率半导体企业上市了！背靠央企，能否实现芯片进口替代？？

　　作为科创板“红筹”第一股、国内最大的功率半导体企业，华润微电子上市之后颇受关注。国家设立科创板，其战略意义之一就在于针对“华润微”这样拥有世界级潜力的企业，让他们快速募集资金、快速做大做强，也让更多的海外优质公司回归A股。3月13日，华润微总市值

第三代半导体材料氮化镓(GaN)可能引发充电革命？？

　　半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。除了进一步发展在摩尔定律下的制造工艺外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年

半导体设备和材料迎接市场机遇。大基金的第二阶段预计将推动数万亿美元进入市场。？

　　近一周包括中芯国际、华力微、台积电南京等重磅项目陆续开工，总投资或超千亿元。 受存储价格大幅下滑等因素影响，2019年全球半导体市场的增长出现十年来最低谷，设备市场也同比下降 10.8%。而突如其来的疫情蔓延又让本已处在复苏通道的全球半导体产业前景蒙上了一层阴影。 根据调研机构IDC的最新

2020年第一季度宽带隙半导体相关项目汇总？

　　投产项目1、中国电科（山西）碳化硅材料产业基地 2020年3月3日，中国电科(山西)碳化硅材料产业基地一期项目投产。 项目于2019年4月1日开工建设， 9月26日封顶。建筑面积 2.7 万平方米，能容纳 600 台碳化硅单晶生产炉和 18 万片 N 型晶片的加工检测能力，可形成 7.5

5G新赛季谁能领先？？

　　对当下的智能手机行业而言，“寒冬”态势依旧没有改变。行业分析机构Counterpoint日前公布的2019年第四季度全球智能手机出货量报告显示，中国手机市场同比下降10%，这已经是连续第八个季度下跌。而受年初新冠肺炎疫情影响，IDC预计国内手机市场整个一季度将遭遇30%

IGBT的政策支持国内制造商与国际巨头正面竞争。？

　　“ IGBT被誉为功率半导体的皇冠明珠，是电能控制和转换（变压、变流、变频等）的“CPU”，可广泛应用于军工、高铁、可再生能源、智能电网、新能源汽车及家电中，是一种极其重要的芯片，随着下游行业的逐步放量，对IGBT的需求也大幅增长。 另外，作为第三代半导体

SMIC、TSMC和三星之间的差距仅仅是一个“光刻机”吗？？

　　“光刻机”在芯片界简直就是神话般存在。 光刻机所加工制作的芯片（器件或系统），在平板显示、通讯、计算机、航空航天、生物医学等领域取得广泛应用，其影响无所不在、无所不能。 可能还不是很清晰易懂，做个比喻。人类社会经历了前工业时代、工业时代和后工业时代。后工业时代包括

在新高分子材料行业，“小何已经暴露了他的锋芒”？

　　4月15日，在渌口区南洲工业园，13家高分子新材料生产企业正开足马力加紧生产，要把因新冠肺炎疫情耽误的时间抢回来。一季度，这些企业完成产值3亿元。 按照全市工业产业规划和产业项目发展“强链、延链、补链”的要求，市(渌口)高分子新材料产业链链长办和渌口区委区政府，凝心聚

功率半导体:国产替代迎来黄金机遇？

　　功率半导体是电力电子技术的基础，也是电子装置中电能转换与电路控制的核心器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。应用范围覆盖工业控制、4C领域（Computer计算机产品、Communication通讯产品、Consumerelectronics数码家电、COM网络产品）、新能

第三代宽带隙半导体材料SiC和GaN的研究现状？

第一代半导体材料一般是指硅（Si）元素和锗（Ge）元素，其奠定了20 世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、砷化铟（InAs）、砷化铝（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导

成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖性能的影响？

摘要:氮化硅结合碳化硅砖的生产广泛地采用反应烧结法，即单质硅粉和碳化硅混合后在氮气气氛下烧结生产氮化硅，在生产过程中，成型体积密度对氮化反应和氮化后的砖性能指标有着重要的影响。本文主要研究了成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖的物理性能、化学成分以及抗电解质侵蚀性能的影响。结果表明:试样物理性能和抗电

全国人大代表、光启科技董事长刘若鹏:赋能核心技术工业制造推动新兴产业蓬勃发展？

　　“80后”的刘若鹏身上有着很深的创新烙印。 作为全国人大代表，光启高等理工研究院院长、光启技术董事长刘若鹏在此前参加的两次全国两会中，提交的建议涵盖了人工智能、5G、大数据、知识产权保护等多个领域。 “去年，我在全国两会上建议要用建设高铁的决心来推进5G