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功率器件静态测试系统
参数
  • 集电极-发射极 最大电压
    3500V(可拓展至12kV)
  • 最大电流
    1000A(可拓展至6000A)
  • 大电压上升沿
    典型值5ms
  • 大电流上升沿
    典型值15μs
  • 大电流脉宽
    50μs~500μs
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普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法 灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

产品特点:

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(最大扩展至12kV);

大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);

高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;

丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;

配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;

数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;

模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;

可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;

可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

高偏压下C-V测试;

►夹具带互锁







系统参数

项目参数
集电极-发射极最大电压3500V(可拓展至12kV)
最大电流

1000A(可拓展至6000A)

精度±0.1%
大电压上升沿典型值5ms
大电流上升沿典型值15μs
大电流脉宽50μs~500μs
漏电流测试范围1nA~100mA
栅极-发射极最大电压300V
最大电流1A(直流)/10A(脉冲)
精度±0.05%
最小电压分辨率30μV
最小电流分辨率10pA



功率器件:

♦二极管

♦三极管

♦MOS管

♦IGBT

♦SIC

♦GaN


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